瑞銀分析師預計，中國半導體製造能力未來十年內或難以取得足夠快的進展，以開發出能夠真正替代阿斯麥(ASML)尖端極紫外光刻(EUV)技術的方案。

　　瑞銀分析師Francois-Xavier Bouvignies等在報告中指出，從專利申請活動來看，尤其是在光源和激光子系統領域，中國目前的技術成熟度大致相當於ASML開始大規模生產EUV設備前15年時的水平，即與ASML2004年的發展階段相若。考慮到中國設備在良率和產能方面與ASML可能仍存在差距，再加上監管限制，分析師們認為中國光刻設備不太可能在中國境外得到應用。

　　不過，瑞銀預計，中國有望在未來兩到五年內具備浸沒式深紫外(DUV)光刻機的大規模量產能力。雖然浸沒式DUV不如EUV先進，但仍是芯片製造不可或缺的設備，利用光線將複雜精細的電路圖案轉印到硅晶圓上。分析師同時提醒，目前外界對這些設備的實際性能，以及中國芯片供應鏈的能力了解有限，這增加了判斷的不確定性。

　　ASML總部位於荷蘭費爾德霍芬，現時是全球唯一能夠生產尖端光刻設備的企業，這類設備對於製造先進半導體至關重要，包括英偉達(US.NVDA)所使用的先進芯片。中國是ASML最大的市場之一，但該公司被禁止向中國出售其極紫外光刻設備。
《經濟通通訊社2日專訊》

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