25,398.18

+215.79

(+0.86%)

25,230

-14

(-0.06%)

低水168

8,507.87

+82.05

(+0.97%)

4,964.92

+80.69

(+1.65%)

3,309.37億

4,057.74

-10.83

(-0.266%)

4,844.26

-47.86

(-0.978%)

15,340.36

-234.77

(-1.507%)

2,832.31

-43.65

(-1.52%)

73,003.5400

-670.8500

(-0.911%)

人民幣最佳客戶買入價

1.1603

澳元最佳客戶買入價

5.6377

歐元最佳客戶買入價

9.1552

英鎊最佳客戶買入價

10.5729

日圓最佳客戶買入價

4.9263

／

／

BRP Inc.

57.770
-0.800
(-1.366%)

最高
58.050

最低
54.670

成交股數
33.33萬

成交金額
1.46千萬

前收市
58.570

開市
57.570

買入
42.990

賣出
92.430

市值
43.19億

貨幣
USD

交易宗數
4111

每宗成交金額
3,543

波幅
5.119%

交易所
NASDAQ

1個月高低

52周高低

市盈率/預期
17.38/7.72

周息率/預期
1.53%/1.12%

10日股價變動
4.410%

風險率
10.218

振幅率
13.811%

啤打系數
0.744

報價延遲最少15分鐘。美東時間： 01/06/2026 05:14:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

27/05/2026 00:44

美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術

　　《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布，推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰，該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件，能大幅降低產品運作時的發熱量。

　　有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式，SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件，直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道，成功使系統熱阻大幅下降超過30%，確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)