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亨斯曼材料
  • 10.820
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  • 最高
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  • 最低
  • 10.525
  • 成交股數
  • 3.95百萬
  • 成交金額
  • 2.08千萬
  • 前收市
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  • 開市
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  • 盤後
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  • 最高
  • 10.820
  • 最低
  • 10.800
  • 成交股數
  • 57.20萬
  • 成交金額
  • 55.83萬
  • 買入
  • 9.630
  • 賣出
  • 11.900
  • 市值
  • 18.50億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 21584
  • 每宗成交金額
  • 965
  • 波幅
  • 6.745%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/77.19
  • 周息率/預期
  • 4.86%/4.46%
  • 10日股價變動
  • -10.356%
  • 風險率
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  • 振幅率
  • 3.522%
  • 啤打系數
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報價延遲最少15分鐘。美東時間: 02/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

22/06/2026 21:17

美股動向 | 傳英特爾聯手聯電研發3納米晶片

  《經濟通通訊社22日專訊》據報英特爾(US.INTC)與台灣晶圓代工廠聯華電子(US.UMC)深化戰略合作,共同開發3納米先進製程技術。受消息刺激,兩者股價在美股盤前上升,英特爾盤前漲逾3%,聯電ADR亦彈升逾12%。

 

  根據AI研究機構FundaAI的最新報告,英特爾與聯電的合作將從現有的12納米平台,進一步擴展至3納米先進製程。未來的晶片生產基地預計將設於英特爾位於美國亞利桑那州的晶圓廠,當中涵蓋Fab 52等廠房。市場分析認為,此合作模式與先前的12納米方案相似,能讓聯電在毋須投入鉅額設備資本開支的情況下,順利切入先進製程晶片製造領域。(kk)

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