24,667.24
-250.36
(-1.00%)
24,762
+86
(+0.35%)
高水95
8,204.91
-79.67
(-0.96%)
4,291.34
-26.60
(-0.62%)
1,872.01億
3,864.28
-21.05
(-0.542%)
4,450.04
-30.04
(-0.671%)
13,287.97
-96.60
(-0.722%)
2,621.61
-27.55
(-1.04%)
75,998.9900
-2,190.2100
(-2.801%)
英特爾
  • 97.065
  • -0.125
  • (-0.129%)
  • 最高
  • 100.480
  • 最低
  • 96.521
  • 成交股數
  • 6.96千萬
  • 成交金額
  • 48.75億
  • 前收市
  • 97.190
  • 開市
  • 98.840
  • 買入
  • 97.060
  • 賣出
  • 97.070
  • 市值
  • 5,137.57億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 389753
  • 每宗成交金額
  • 12,508
  • 波幅
  • 13.777%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/48.73
  • 周息率/預期
  • 0.13%/--
  • 10日股價變動
  • 1.399%
  • 風險率
  • 32.953
  • 振幅率
  • 4.485%
  • 啤打系數
  • 3.600

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 15/09/2026 15:59:30
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

08/09/2026 20:53

美股動向 | ASML擬研發新一代光刻機,瞄準大型AI數據中心晶片

  《經濟通通訊社8日專訊》荷蘭晶片設備巨頭ASML(US.ASML)計劃與英偉達(US.NVDA)、谷歌(US.GOOG)、英特爾(US.INTC)、台積電(US.TSM)及三星等主要晶片商合作,推進更大尺寸掩模版技術,以突破下一代High-NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻)設備的晶片尺寸限制,瞄準AI數據中心大型晶片需求。

 

  ASML現有EUV設備可支援面積約800平方毫米的晶片,但High-NA EUV採用較小掩模版,曝光面積受限,難以直接應付部分大型AI加速器的製造需求。ASML目前正研究12吋掩模版方案,計劃於2031年展示試驗生產線,2033年具備高量產能力。公司技術主管表示,新方案有望提升生產效率最多約40%。

 

  ASML官方資料顯示,High-NA EUV採用0.55數值孔徑,最高解析度可達8納米,現正推進量產應用。(kk)

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