25,594.28
+28.54
(+0.11%)
25,629
+31
(+0.12%)
高水35
8,494.89
+4.58
(+0.05%)
4,606.42
-13.87
(-0.30%)
1,821.69億
3,952.03
-4.54
(-0.115%)
4,609.24
-21.04
(-0.454%)
13,953.38
-95.50
(-0.680%)
2,728.66
-11.76
(-0.43%)
79,984.9800
-264.6100
(-0.330%)
高斯電子
  • 3.420
  • -0.040
  • (-1.156%)
  • 最高
  • 3.510
  • 最低
  • 3.373
  • 成交股數
  • 3.24萬
  • 成交金額
  • 7.62萬
  • 前收市
  • 3.460
  • 開市
  • 3.400
  • 盤後
  • 3.520
  • 0.100
  • (+2.924%)
  • 最高
  • 3.520
  • 最低
  • 3.342
  • 成交股數
  • 1,525.00
  • 成交金額
  • 4,410.71
  • 買入
  • 3.220
  • 賣出
  • 15.000
  • 市值
  • 3.25千萬
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 144
  • 每宗成交金額
  • 529
  • 波幅
  • 7.148%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • --/765.00
  • 周息率/預期
  • 1.75%/--
  • 10日股價變動
  • -8.800%
  • 風險率
  • 0.643
  • 振幅率
  • 4.314%
  • 啤打系數
  • 1.977

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 27/08/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

28/08/2026 03:39

美股動向 | SK海力士斥逾40億美元印第安納州建HBM廠

  《經濟通通訊社28日專訊》南韓記憶體晶片商SK海力士(US.SKHY)周四(27日)在美國印第安納州西拉法葉舉行先進封裝廠奠基儀式,正式啟動集團首個美國高頻寬記憶體(HBM)生產基地,項目投資額逾40億美元。

 

  項目位於普渡研究園區,佔地約133.5英畝,將設HBM先進封裝生產線及AI半導體研發中心。SK海力士預計於2028年10月完成潔淨室,並於2029年下半年開始下一代HBM量產;屆時南韓生產的晶圓將運往美國進行封裝及測試,再以「美國製造」產品供應當地客戶。(kk)

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