25,592.53
-301.01
(-1.16%)
25,614
-309
(-1.19%)
高水21
8,583.08
-71.96
(-0.83%)
4,809.14
-51.12
(-1.05%)
1,611.36億
3,984.68
-1.54
(-0.039%)
4,642.91
+6.34
(+0.137%)
14,403.62
+94.15
(+0.658%)
2,665.56
+7.51
(+0.28%)
71,020.7200
+279.1600
(0.395%)
安森美半導體
  • 68.650
  • +0.160
  • (+0.234%)
  • 最高
  • 70.110
  • 最低
  • 68.140
  • 成交股數
  • 6.28百萬
  • 成交金額
  • 3.41億
  • 前收市
  • 68.490
  • 開市
  • 69.140
  • 盤後
  • 69.890
  • 1.240
  • (+1.806%)
  • 最高
  • 69.890
  • 最低
  • 63.100
  • 成交股數
  • 1.64百萬
  • 成交金額
  • 9.53百萬
  • 買入
  • 66.290
  • 賣出
  • 71.050
  • 市值
  • 269.39億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 57136
  • 每宗成交金額
  • 5,974
  • 波幅
  • 15.822%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 236.93/17.40
  • 周息率/預期
  • --/--
  • 10日股價變動
  • 23.338%
  • 風險率
  • 8.091
  • 振幅率
  • 1.708%
  • 啤打系數
  • 1.637

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 10/04/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/11/2025 02:35

美股動向 | 安森美推出垂直氮化鎵半導體,拓AI及電動車高耗能應用

  《經濟通通訊社31日專訊》智能電源和傳感技術企業安森美(US.ON)宣布,推出垂直氮化鎵功率半導體,為人工智能數據中心、電動汽車及可再生能源等高耗能應用領域,在功率密度、效率和耐用性方面樹立全新行業標準。

 

  這項突破性的技術建基於創新的「氮化鎵上氮化鎵」架構,其核心特點是讓電流垂直流過化合物半導體晶片,而非像傳統技術般在表面橫向流動。這種垂直導電設計,使新的vGaN功率半導體能夠在單一晶片中處理高達1200伏特甚至更高的電壓,並以極高頻率進行開關,從而大幅提升效能。​(kk)

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