23,350.03
+295.00
(+1.28%)
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低水95
7,699.76
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62,208.0000
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南非薩索爾
  • 9.690
  • +0.100
  • (+1.043%)
  • 最高
  • 9.805
  • 最低
  • 9.560
  • 成交股數
  • 1.49百萬
  • 成交金額
  • 7.43百萬
  • 前收市
  • 9.590
  • 開市
  • 9.580
  • 盤後
  • 9.450
  • -0.240
  • (-2.477%)
  • 最高
  • 9.690
  • 最低
  • 9.450
  • 成交股數
  • 21.25萬
  • 成交金額
  • 1.07百萬
  • 買入
  • 9.330
  • 賣出
  • 15.000
  • 市值
  • 61.48億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 6282
  • 每宗成交金額
  • 1,183
  • 波幅
  • 9.698%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 42.19/6.03
  • 周息率/預期
  • 1.11%/--
  • 10日股價變動
  • -10.028%
  • 風險率
  • 2.966
  • 振幅率
  • 2.312%
  • 啤打系數
  • -0.291

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 02/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

01/06/2026 22:58

大行報告 | 高盛料記憶體超級周期延至2028年

  《經濟通通訊社1日專訊》高盛發表最新研究報告指出,受惠於人工智能需求急增,預期傳統DRAM、NAND及高頻寬記憶體的供需狀況,在2027年將較2026年更為緊張,且此供不應求的態勢料將延續至2028年。

 

  基於對更高且更持久的產品價格觀點,高盛大幅上調多間記憶體巨頭的目標價,將SK海力士的12個月目標價上調至350萬韓圜,三星電子目標價上調至48萬韓圜,雙雙重申「買入」評級。此外,該行亦將鎧俠的評級上調至「買入」,目標價定為93000日圓,相當於截至2028年3月底止財年的7.8倍市盈率。

 

  在具體價格及市場規模預測方面,高盛預計三星電子的傳統DRAM平均售價在2026財年及2027財年將分別按年飆升326%及27%,而NAND的ASP亦將分別增長283%及33%。同時,高盛極度看好HBM的發展,預料HBM價格將出現追趕效應,在2027財年按年增長約50%,並帶動全球HBM市場總規模在2026、2027及2028財年分別達到560億、1160億及1680億美元。(kk)

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