23,827.69
+330.80
(+1.41%)
23,834
+360
(+1.53%)
高水6
7,924.23
+153.97
(+1.98%)
4,591.59
+84.55
(+1.88%)
287.76億
3,995.70
+5.46
(+0.137%)
4,785.85
-6.41
(-0.134%)
15,164.40
-60.71
(-0.399%)
2,781.05
+0.85
(+0.03%)
63,339.0200
-24.9800
(-0.039%)
台積電
  • 432.570
  • -19.220
  • (-4.254%)
  • 最高
  • 439.800
  • 最低
  • 428.110
  • 成交股數
  • 1.49千萬
  • 成交金額
  • 32.13億
  • 前收市
  • 451.790
  • 開市
  • 438.020
  • 盤後
  • 431.000
  • -1.570
  • (-0.363%)
  • 最高
  • 455.100
  • 最低
  • 414.409
  • 成交股數
  • 1.71百萬
  • 成交金額
  • 1.74億
  • 買入
  • 430.180
  • 賣出
  • 430.850
  • 市值
  • 22,517.60億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 236660
  • 每宗成交金額
  • 13,577
  • 波幅
  • 15.024%
  • 交易所
  • NYSE
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 39.35/23.29
  • 周息率/預期
  • 0.78%/0.81%
  • 10日股價變動
  • 0.051%
  • 風險率
  • 63.701
  • 振幅率
  • 3.187%
  • 啤打系數
  • 1.416

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 07/07/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

26/03/2026 22:24

美股動向 | SK海力士擬採台積電3納米製程生產HBM4E

  《經濟通通訊社26日專訊》記憶體巨企SK海力士正積極評估採用台積電(US.TSM)最先進的3納米製程,來製造其第七代高頻寬記憶體(HBM4E)的邏輯晶片。此舉旨在縮小與三星電子在高效能產品上的差距。

 

  在上一代HBM4的競爭中,SK海力士為確保供貨穩定而選擇台積電12納米製程,對手三星則採用4納米邏輯晶片而取得效能優勢。為奪回技術主導權,SK海力士計劃在HBM4E世代將自家第六代10納米級DRAM核心與台積電3納米邏輯晶片進行異質整合。市場預期這項突破性的技術升級,將大幅推升即將推出的英偉達(US.NVDA)Vera Rubin Ultra等新一代AI加速器的運算極限。(kk)

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