美股動向｜美光科技急升逾6%，斥資擴建台灣HBM產能

　　《經濟通通訊社17日專訊》美光科技(US.MU)股價周一(16日)早段急升逾6%。該公司宣布完成收購台灣力積電旗下銅鑼廠區，計劃改建為先進DRAM生產基地，重點擴充高頻寬記憶體(HBM)產能。

　　美光斥資購入力積電銅鑼廠區約2.8萬平方米無塵室廠房，該設施原用於生產傳統DRAM晶片。據規劃，廠房將升級為HBM專用生產線，並擴建無塵室空間至5.3萬平方米，較現有規模增加近倍。新產線將與美光現有台灣廠區形成協同效應。

　　儘管市場對HBM需求急增，美光強調新產線需進行全面設備更新，預期2028財年前難以實現規模化量產。公司此前於1月已公布收購意向，今次公告標誌交易正式完成。

　　受人工智能應用推動，HBM現貨價近期急漲。調研機構預測，2026年首季標準DRAM價格將按季升50%-55%，HBM漲幅更為顯著。美光最新季報顯示，受惠記憶體漲價潮，上季收入按年飆57%，盈利暴增180%，市場預期本季收入增速將加快至138%，盈利增幅或超450%。

　　分析師指出，美光現價相當於過去市盈率40倍，若增長勢頭持續仍屬合理估值。惟行業周期特性引發憂慮，大規模擴產可能導致供過於求，重演記憶體價格崩盤歷史。目前HBM市場仍處供不應求狀態，主要供應商三星、SK海力士與美光合計市佔逾95%。