25,726.40
+215.30
(+0.84%)
25,743
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高水17
8,560.11
+114.74
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4,659.71
+71.17
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1,111.47億
3,920.76
+31.32
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13,918.56
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+37.03
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79,090.0000
+550.8700
(0.701%)
美光科技
  • 932.970
  • +22.540
  • (+2.476%)
  • 最高
  • 946.670
  • 最低
  • 916.300
  • 成交股數
  • 1.92千萬
  • 成交金額
  • 146.64億
  • 前收市
  • 910.430
  • 開市
  • 928.975
  • 盤後
  • 930.180
  • -2.790
  • (-0.299%)
  • 最高
  • 953.573
  • 最低
  • 903.242
  • 成交股數
  • 50.52萬
  • 成交金額
  • 4.20億
  • 買入
  • 930.050
  • 賣出
  • 930.200
  • 市值
  • 10,282.33億
  • 貨幣
  • USD
  • 交易宗數
  • 430984
  • 每宗成交金額
  • 34,026
  • 波幅
  • 13.368%
  • 交易所
  • NASDAQ
  • 1個月高低
  • 52周高低
  • 市盈率/預期
  • 20.58/5.53
  • 周息率/預期
  • 0.06%/0.05%
  • 10日股價變動
  • -3.982%
  • 風險率
  • 307.839
  • 振幅率
  • 5.356%
  • 啤打系數
  • 3.331

報價延遲最少15分鐘。美東時間: 25/08/2026 19:59:45
紅色閃爍圓點標示當前所處的交易時段。

28/07/2026 23:05

美股動向|記憶體超級週期結構轉變 美光、SanDisk或迎長線機遇

  《經濟通通訊社28日專訊》記憶體市場正經歷史上最強週期之一,帶動美光科技(US.MU)及SanDisk(US.SNDK)股價表現。分析指出,人工智能(AI)基礎建設需求正重塑DRAM與NAND市場結構,可能打破過往強週期特性。

 

  美光作為全球三大DRAM製造商之一,近25%收入來自NAND快閃記憶體。SanDisk則專注快閃記憶體業務。兩者近期收入與毛利率均創新高,主要受惠AI基建需求激增。

 

  高帶寬記憶體(HBM)作為AI晶片關鍵組件,需使用與GPU相同的EUV光刻機生產。由於ASML(US.ASML)獨家供應相關設備,加上HBM生產需消耗三倍晶圓產能,導致DRAM產能擴張受限。三大DRAM廠商更首度簽訂長期供貨合約,增強產業能見度。

 

  快閃記憶體市場同樣面臨結構性短缺。主要廠商將產能優先分配予HBM,加上AI代理程式需大量長期儲存空間,推升新型高帶寬快閃記憶體(HBF)研發需求。業界預期NAND供需失衡將延續至可預見未來。

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