美股動向 | SK海力士推革命性「iHBM」散熱技術
27/05/2026
《經濟通通訊社27日專訊》南韓記憶體巨擘SK海力士(US.HXSCL)宣布,推出具備突破性的「iHBM」控溫散熱技術。面對人工智慧晶片日益嚴苛的高溫挑戰,該技術透過在HBM封裝內部直接整合一體化冷卻元件,能大幅降低產品運作時的發熱量。
有別於傳統HBM需仰賴核心晶片向外傳導的間接散熱模式,SK海力士的「iHBM」技術從封裝結構層面進行了根本性的改良。其核心在於將採用絕緣且具備高導熱性矽基材料製成的冷卻元件,直接嵌入於熱量最為密集的D2D PHY區域內。這項創新設計在記憶體內部建構一條專屬的散熱通道,成功使系統熱阻大幅下降超過30%,確保晶片在持續高溫與高負載環境下依然能維持穩定運行。(kk)
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